高通正式发布骁龙835芯片,满足VR/AR高性能需求

作者: 来源:VR观察 2017-03-22
今天(3月22日)下午,美国高通公司全新旗舰芯片Qualcomm骁龙835处理器在北京发布。...

今天(3月22日)下午,美国高通公司全新旗舰芯片Qualcomm骁龙835处理器在北京发布。这颗采用三星10纳米制程工艺的芯片,将使搭载该芯片的智能设备拥有更低的功耗与更高的性能。

对于手机而言,835拥有更小裸片和封装尺寸,这一点可以扩大手机主板的空间,基于此手机将可以设计更薄、电池容量可以更大,在多集成的特性下,还大幅降低了功耗。据了解,835要比上一代在功耗方面降低了25%。

值得注意的是,835在虚拟现实与增强现实(VR/AR)的高性能需求、散热限值和能效限制方面有所提升,它支持Google Daydream平台以实现高质量的移动VR。具体包括高达25%的3D图形渲染性能提升,以及通过Adreno 540视觉处理子系统支持的、高达60倍的色彩提升。骁龙835还支持4K Ultra HD premium(HDR10)视频、10位广色域显示、基于对象和基于场景的3D音频,以及基于高通自主研发的传感器融合技术的六自由度(6DoF)VR/AR 运动追踪。

据了解,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。

骁龙835官方中文规格表如下:

工艺尺寸:骁龙835采用10nm FinFET制程,三星代工,尺寸减小35%,功耗降低25%。

CPU:采用八核Kryo 280自研核心,主频最高2.45GHz(早先资料称,小核是1.9GHz,待官方确认),这比骁龙821的2.35GHz提升了4%(小核提升了18%),最终性能提升20%。

GPU:Adreno 540,图形速度提升25%,色彩提升60倍。支持4K屏(60FPS)、10位色深、支持DP、HDMI和USB-C视频流传输。

基带:X16调制解调器,全球首款千兆LTE基带,4载波聚合、7模全网通。

充电:QC4.0技术,15分钟可充50%的电,速度提升20%。

内存:LPDDR4X双通道、UFS 2.1、SD3.0(UHS-1)

连接性:802.11ad(60GHz)、802.11ac(2x2 MU-MIMO)、蓝牙5.0

定位:支持GPS、格洛纳斯、北斗、伽利略

ISP:高通Spectra 180,双14位ISP、最高支持双1600万/单3200万镜头,可录制HDR视频。

DSP:Hexagon 682,集成向量扩展,支持TensorFlow和Halide

视频:最高4K 30FPS拍摄、4K 60FPS播放,可解码H.264/265/VP9。

音频:Aqstic音频编解码器,支持原生DSD、123dB高信噪比。

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